应兰州大学材料与能源学院和电镜中心邀请，西安交通大学夏明岗教授将来我院进行交流访问并做学术报告，欢迎广大师生参加。

主讲人：夏明岗

题目：二维TMDs材料CVD生长及其电子器件

邀请人：彭勇、张利利

主持人：张利利

报告时间：2024年7月24日星期三15:30

报告地点：逸夫生物楼电镜中心1楼114会议室

线上同步直播腾讯会议号：471 264 291

摘要：近年来，随着电子器件尺寸的减小，二维过渡金属硫化物(TMDs)材料的研究越来越受关注。特别是MoS2和WSe2，其载流子迁移率在室温下理论值高达400 cm2/(Vs)，有望成为新的电子器件沟道材料。然而，化学气相沉积法(CVD)生长的TMDs材料载流子迁移率均小于100cm2/(Vs)。因此，生长大面积TMDs单晶和提高载流子迁移率成为了研究的焦点和亟待解决的问题。在此报告中，将首先介绍MoS2的生长，然后介绍MoS2和WSe2场效应晶体管的电学性质。首先，采取预沉积策略生长MoS2单层晶圆薄膜、研究基底(包括强耦合基底和粗糙基底)对MoS2生长的调制、界面调制MoS2生长和蓝宝石台阶调制同向MoS2阵列生长。然后，介绍MoS2和WSe2场效应晶体管。为了提高载流子迁移率，采用氧等离子体处理TMDs技术，我们研究了氧等离子体对MoS2和WSe2场效应晶体管电学性质的影响。结果表明，短时软氧等离子体处理会导致半导体相(2H)的MoS2和WSe2部分转变成金属相(1T相)，从而降低金属和TMDs的接触电阻以及沟道电阻，提高MoS2电子迁移率近2个数量级，达到230 cm2/(Vs);提高WSe2空穴载流子迁移率三个数量，达到340 cm2/(Vs)。

个人简介：夏明岗，西安交通大学物理学院教授，应用物理系主任，物质所副所长，软物质与凝聚态物理团队负责人;曾获2009年全国优秀博士论文提名奖。1994-2006在西安交通大学获理学学士、硕士、博士学位，2002.4-2017.12担任助教、讲师、副教授，2018.1-至今物理学院教授。2005-2006美国伊利诺大学香槟分校(UIUC)访问学者，合作导师：John A. Rogers;2008-2009新加坡国立大学博士后，合作导师：李保文。研究方向为凝聚态物理，主要从事二维材料生长与电子器件、声子和热传导等方面的研究工作。在Angew. Chem. Int. Ed., Adv. Funct. Mater., Nano Res., Energy Storage Mater., Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett., Adv. Opt. Mater., Nanoscale, J. Mater. Chem. C, Chin. Phys. Lett.等发表SCI论文70余篇，他引一千五百余次，4篇论文单篇引用超过一百次。国际会议邀请报告10余次。为Nat. Commun.、ACS Nano、Phys. Rev. B、Appl. Phys. Lett.、Chem. Eng. J.、ASS、JES、 Nano Res.等刊物审稿人，担任国家各部委评审专家、各高校职称评审专家等。主持国家自然科学基金面上项目、军委科技委军工项目、省部级项目和横向项目10余项，参与国家重点研发项目和国家基金委项目6项。