仪器简介：

        型号： SI 500

        制造厂家：SENTECH

        购置时间：2024年6月

主要规格及技术指标

    1.圆形反应腔，采用优化设计以确保等离子体均匀性；

    2. 腔室真空度≤1×10^-4 Pa；

    3.支持最大8英寸的晶圆处理，适用于不同尺寸的样品；

        4. ICP 频率：13.56 MHz，适用于高密度等离子体生成，ICP源最大功率小于1200 W，RF 基座功率不低于 600 W，等离子体密度高达5×10¹¹cm^-3；

    5.下电极控温范围为-20 ^°C-200 ^°C；

    6.配置5路工艺气体：CF₄、CHF₃、SF₆、O₂、Ar；

    7.配置两路配套气体：背冷却用氦气，吹扫用普通氮气；

主要功能及特色

        SI 500等离子体系统能够将掩膜结构按比例转移到硅和其他半导体材料中，转移到具有高均匀性的石英和相关材料中，以及制造二元微光学结构。SI 500等离子体系统代表了ICP（电感耦合等离子体）加工在研发和小规模生产方面的领先优势。它基于PTSA（平面三螺旋天线）等离子体源，动态温控衬底电极，完全控制真空系统，先进的SENTECH控制软件使用可编程逻辑控制器技术，以及一个非常友好的通用用户界面来操作SI 500。灵活性和模块化是设计的特点。

主要附件及配置

        1. 气路管线 7 路（包含背氦冷却系统氦气气路管线 1 路，吹扫用氮气气路管线 1路）及相应国内配套气体、气瓶、减压阀、金属连接管和制氮机。

        2. 涡轮分子泵 1 套， 干泵 2套；

        3. 集成式气路柜 1 套，冷水机一台；

文章标注要求

        SENTECH ICP Etch System SI 500.

计费信息

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